技术范围

本捏造:内心捏造的东西关涉一种过流护卫队周游。,非常地一种护卫队周游,废止电流流入P。

安排技术

集成周游的专心致志,持枪或引脚与内部周游贯,如图1所示,在大多数保持健康下,外周游使增压在水下电源使增压的机灵,当周游衔接可能性的选择恰当地,或内部周游非常,或不与内部周游共享集成周游,或应用特别保持健康等。,内部周游的使增压可能性高于电源使增压的Wi,非常地,交界面集成周游通常的专心致志。条件缺勤响应的护卫队周游的集成周游,如图1所示,这可能性会落得内部周游的电流横切的寄生地,使电流经大于正常使IC本质上、内部周游甚至电源筋疲力尽。

捏造:内心捏造的东西满意的

为处理是你这么说的嘛!成绩,本捏造:内心捏造的东西设计了一种废止电流倒灌电源的护卫队周游,出口使增压高于电源使增压以废止电流暗号,克制不要过去的毁坏电流的周游。

本捏造:内心捏造的东西处理是你这么说的嘛!技术成绩的技术规划是:一种废止电流倒灌电源的周游。包孕最好者门、最好者比拟器、最好者PMOS MP1、次货PMOS MP2、第三PMOS MP3、四个PMOS MP4、第五PMOS MP5、特别感应PMOS MP6、最好者NMOS MN1。最好者个或门输出端的把持暗号和检测暗号的DI。最好者比拟器的反相输出衔接到出口意义出口,非反相输出端衔接到电源VDD,出口意义衔接到NMOS管和问询处门前的大门。放出管衔接数字逻辑门的出口电平或FI,地面上,源端的最好者PMOS管的栅极和漏衔接。四个PMOS管的源出口,衬底电位由第五和特别感应决定PMOS PMOS管T。第五与电源VDD衔接的PMOS管源,门衔接VOUT,基板与四个PMOS管的衬底漏端衔接,基板和特别感应桶走漏的PMOS端经过的衔接。这特别感应个PMOS管栅衔接VDD电源,源端与VOUT衔接。。该最好者PMOS管的源衔接电源VDD,使耗尽衔接出口意义出口。

流入电源周游,废止内部电流。,PMOS管和NMOS管最好者比拟器比拟器。最好者栅极管数字逻辑门接合的的PMOS管和NMOS。

废止内部电流进入交界面的护卫队周游,二把持暗号具有必然的频率和占空比。检测暗号作为反应使增压检测CTR VO出口意义,当VOUT的出口电平在水下0v,中央是东西高程度的;当VOUT的出口程度高于0v,点击量低。

鉴于采取了技术规划,本捏造:内心捏造的东西的技术使发生:当出口意义的使增压出口使增压高于电源使增压,最好者PMOS闭管,终止从出口意义的电流功率流;当出口使增压不足0V,最好者NMOS闭管,为了废止大电流晶体管燃烧的。只当出口使增压VDD和0经过。,最好者MOS管是由底和常态任务的把持暗号把持。

上面接合的附图和详细完成的方法。

附图阐明

图1东西流传集成周游构造示意图。

图2显示了本捏造:内心捏造的东西的完成例的详细构造。

详细完成方法

如图2所示的防电流倒灌护卫队周游301中,把持暗号DI和检测暗号CTR经过最好者或门OR1和最好者NMOS MN1功能于最好者PMOS MP1的栅极,驱动力把持MP1外加载。该比拟器CMP1的反相输出端衔接到出口意义,非反相输出端衔接到电源VDD,门的出口意义衔接的MN1的栅极和栅极。的使耗尽衔接二MN1把持暗号,地面上,的源端衔接MP1的栅极和漏的MP4。MP4的电源衔接到VOUT。,基板是由MP5、MP6决定潜在的。MP5的源极衔接电源VDD,门衔接VOUT,基板和MP4衬底漏端衔接,基板和MP6和使耗尽衔接。的MP6电源VDD的门,源端与VOUT衔接。。MP1的源极衔接到电源VDD,使耗尽衔接出口意义出口。

常态任务资格时,0和VDD经过的VOUT。在防电流倒灌护卫队周游301中,检测暗号点击量低。比拟器出口意义为高电位,因而MP4的门是高电位的。。MP5、MP6的决定的衬底电位的MP4。MP5源使增压高于栅极使增压,翻开MP5;MP6源使增压在水下电网使增压,MP6亲密的,因而MP4衬底衔接到VDD。在MP6 VOUT的寄生二极管阳极,VDD负电极,由于VDD高于VOUT,去寄生二极管反向斜纹的,缺勤电流经过VDD寄生二极管出口。作为衬底电位的MP4 VDD,的栅极电位当高电位比拟器的出口,MP4那样地濒临,VOUT无法经过栅极电位MP1 MP4使发生。MN1门高电位,地面上,因而,MN1吐艳。在MP1势门当把持暗号的程度。在MP1栅极使增压当二把持程度。

在由MP2和MP3组成的衬底电位选择周游302中,用MP2和MP3决定驱动力的衬底电位管MP1。MP2源使增压高于栅极使增压,翻开MP2;MP3源使增压在水下栅极使增压,MP3了,去,MP1的衬底衔接到VDD。在MP3 VOUT的寄生二极管阳极,VDD负电极,由于VDD高于VOUT,去寄生二极管反向斜纹的,缺勤电流经过VDD寄生二极管出口。MP1的衬底电位VDD,MP1的常态任务。从眼前的VDD MP1流经过出口意义出口。

当出口意义使增压Vout高于电源使增压VDD时,在防电流倒灌护卫队周游301中,比拟器出口低电平。由于MN1的栅极和比拟器的出口端。,MN1门是低的。又由于MN1地面上,因而,MN1频道收费代,MN1亲密的,DI暗号不克不及经过MN1积累到MP1门。MP5、MP6的决定的衬底电位的MP4。MP5源与电源VDD,门是衔接出口意义出口,栅极使增压高于源,MP5亲密的。的MP6电源VDD的门,源意义出口意义,电源使增压高于电网,MP6翻开,MP4衬底衔接到VOUT。由于门和比拟器出口衔接到MP4。,门是在低使增压,MP4开。MP1栅极电位当出口意义Vout的电位。在这种保持健康下,MP5的寄生二极管衔接到VDD,负电极出口,由于VOUT比VDD高。,去寄生二极管反向斜纹的,缺勤电流经过寄生二极管从Vout到VDD。

在由MP2和MP3组成的衬底电位选择周游302中,MP2的源与电源VDD,门是衔接出口意义出口,栅极使增压高于源, MP2亲密的。 MP3的门衔接电源VDD,源意义出口意义,电源使增压高于电网,MP3翻开,MP1衬底衔接到VOUT,去,衬底使增压当使增压出口意义出口者。在MP2 VDD的寄生二极管阳极,负电极出口,由于VOUT比VDD高。,去寄生二极管反向斜纹的,缺勤电流经过寄生二极管从Vout到VDD。1门、使耗尽、衬底电位均当Vout,MP1亲密的,缺勤电流从VOUT MP1的反向进行电源VDD。

当出口使增压在水下0v出口意义,检测暗号中央是东西高程度的,翻开MN1,栅极使增压MP1当该门周游的出口使增压。MP1常数栅极电位高,去,MP1成为亲密的资格,缺勤电流经过,双功能的把持暗号。出口电横切大,废止损坏者。周游的否则元件与常态任务资格同族关系。。

该规划可以在出口意义使增压的周游高,电流不克不及流入电源的出口端经过。

电源周游的构造和废止内部电流只前,在这一范围的技工可以如愿以偿,土地后面的代理,这可以用于无论哪些PMOS管的使耗尽电流驱动力周游的捏造:内心捏造的东西,而不许的限度局限于专心致志于示例打中由方波DI把持PMOS驱动力外界装填的周游构造中。

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